DRAM
SRAM - 疑似SRAM
ROM - EPROM - EEPROM
フラッシュメモリ
FeRAM
モノリシック集積回路 (monolithic IC) は1枚の半導体基板上に、トランジスタ、ダイオード、抵抗器などの回路素子を形成し、素子間をアルミニウムなどの蒸着によって配線した後、数mm - 十数mm角の小片に切り出したものである。組み立て工数が少ないため安価である。
シリコン(Si、珪素)単結晶基板上に平面状に構成するトランジスタ(プレーナ型トランジスタ)を発展させたものである。製造プロセスの進歩により1990年代からアナログ・デジタル混在回路にも用いられるようになった。
1 モノリシック集積回路
2 ハイブリッド集積回路
VLSIに続いて、新たにULSI (Ultra-Large Scale Integration) という語も作られ、集積される素子数が100万以上とも1000万以上ともされているが、そのような集積度の集積回路も、今日普通はVLSIとしている。